DCR 650G34

Fázově řízený tyristor 3400V/650A ,

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

Fázově řízený tyristor 3400V/650A ,

ID Code:	167973
Značení výrobce:	DCR650G34
Výrobce:	Dynex Semiconductor
Dostupnost:	Na dotaz
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Typ balení:	BOX ? AMMO -> AMMO PAK-pás v krabici TUBE -> Tyč BULK -> Sypaný v sáčku BOX -> Krabice (základní nebo dělené na malé balení) TRAY -> Tray=plato TR-6 -> Tape Reel 6" (D=150mm) TR-7 -> Tape Reel 7" (D=180mm) TR10 -> Tape Reel 10" (D=250mm) TR13 -> Tape Reel 13" (D=330mm) TR20 -> Tape Reel 20" (D=500mm) TR24 -> Tape Reel 24" (D=600mm) REEL -> Kotouč-jiný rozměr [ks]/[m] ROLL -> Svitek-vodiče [m] CAN -> Plechovka, nádoba BLIS -> Blistr TAPE -> Folie v pásu - kotouč ARCH -> Folie arch, sheet PALE -> Paleta SYRI -> Syringe
Malé balení:	5 ks ? Malé balení specifikuje nejmenší základní výrobní balení. Pokud je uvedeno i Velké balení, objednávejte přednostně násobky Velkého balení.
Nabídka Alternativ
1. 167971 - DCR 650G28 (DYN)
2. 167972 - DCR 650G30 (DYN)

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

Fázově řízený tyristor 3400V/650A ,

Základní informace:

Typ součástky:	Thyristor PCT
Kategorie	Thyristor Standard Disc
Konfigurace:	single TY ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Typ materiálu:	Si-Silicon
U_DC_(RRM,CEO)	3400 [V]
I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	650 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=60÷69°C)	650 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)	1000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)	150 [A/µs]
I²t (T_C/T_A=25°C)	353000 [A²s]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	600000 [ns]
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	140 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.035 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
D - Ø vnější	58 [mm]
H - Výška	27 [mm]
F_min:	12000 [N]
F_max:	18000 [N]