ACR3200VR33

Překlenovací Thyristor 3300V / 3200A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích VSC

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

ACR3200VR33_DY.pdf

Překlenovací Thyristor 3300V / 3200A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích VSC

ID Code:	183764
Značení výrobce:	ACR3200VR33
Výrobce:	Dynex Semiconductor
Dostupnost:	Na dotaz
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Typ balení:	BOX ? AMMO -> AMMO PAK-pás v krabici TUBE -> Tyč BULK -> Sypaný v sáčku BOX -> Krabice (základní nebo dělené na malé balení) TRAY -> Tray=plato TR-6 -> Tape Reel 6" (D=150mm) TR-7 -> Tape Reel 7" (D=180mm) TR10 -> Tape Reel 10" (D=250mm) TR13 -> Tape Reel 13" (D=330mm) TR20 -> Tape Reel 20" (D=500mm) TR24 -> Tape Reel 24" (D=600mm) REEL -> Kotouč-jiný rozměr [ks]/[m] ROLL -> Svitek-vodiče [m] CAN -> Plechovka, nádoba BLIS -> Blistr TAPE -> Folie v pásu - kotouč ARCH -> Folie arch, sheet PALE -> Paleta SYRI -> Syringe
Malé balení:	6 ks ? Malé balení specifikuje nejmenší základní výrobní balení. Pokud je uvedeno i Velké balení, objednávejte přednostně násobky Velkého balení.

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

ACR3200VR33_DY.pdf

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH	Cena s DPH
1 +	19 600,00 Kč	23 716,00 Kč
3 +	19 110,00 Kč	23 123,10 Kč
6 +	18 130,00 Kč	21 937,30 Kč
12 +	16 660,00 Kč	20 158,60 Kč

Asymetrický, překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích převodníků zdrojů napětí. Velmi vysoká odolnost proto kosmickému záření a hodnocení FIT, vysoká odolnost přepětí
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt

Základní informace:

Typ součástky:	Trisil
Kategorie	Trisil-Overvoltage Protection
Konfigurace:	single TY ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Typ materiálu:	Si-Silicon
U_DC_(RRM,CEO)	3300 [V]
I_{dc max} (Tc/Ta=60÷69°C)	3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)	10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)	400 [A/µs]
I²t (T_C/T_A=25°C)	9050000 [A²s]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	3000 [ns]
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Typ pouzdra:	PUK
Pouzdro [inch] :	PUK110/73x27T
Hmotnost:	1200 [g]

Teplotní a mechanické parametry:

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	125 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.00746 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
D - Ø vnější	110 [mm]
H - Výška	27 [mm]
F_min:	48000 [N]
F_max:	59000 [N]